放射源為22Na同位素，正電子的能量范圍為0-545 keV。實驗室從國外進口22NaCl溶液制備正電子源。

理想樣品尺寸12×12×2mm；直徑12×2mm（邊長/直接＞10mm，厚度＞1mm），粉末可根據(jù)密度乘以體積大致計算，如樣品不足，最小尺寸8×8×0.8mm左右也可以做；薄膜可敷著在無長壽命基底上測。

正電子壽命測量的是孔位缺陷的大小和濃度，一般來說短壽命對應的是小空位/單孔位的壽命，中等壽命對應中等空位對壽命/體壽命，長壽命對應大空位團簇/界面的壽命。強度對于的是空位缺陷的濃度，強度越大空位越多。具體哪個壽命代表哪種空位一些是由理論計算算出的，一些是實驗推理出來的。

Lifetime9.0/Melt4.0/Contin軟件，基本涵蓋了所有正電子湮滅測試的解譜軟件，您可根據(jù)參考文獻選擇。所有數(shù)據(jù)都是基于原始數(shù)據(jù)通過解譜軟件得到的。

解譜時需要考慮到很多的變量，如放射源修正、系統(tǒng)分辨扣除、本底等參數(shù)，通過殘差驗證是否符合正態(tài)分布模型，擬合優(yōu)度是否符合誤差標準等因素，才能給出樣品的最優(yōu)解，這對解譜老師的專業(yè)水平要求很高，所以有些地方只能做設備自帶的壽命譜，如時間太長會發(fā)生譜飄移，使得解譜參數(shù)發(fā)生變化，容易造成解譜結果失真。

該說法不對，因為沒有考慮到放射源修正、扣除系統(tǒng)分辨、本底等情況，所以不是簡單的相加。

自由體積半徑最初出現(xiàn)在聚合物中，樣品壽命需要大于0.5ns才能計算；且解自由體積及半徑需要符合：o-ps的無限深球方勢阱模型[1,2]

[1] Tao S J. J.Chem.Phys., 1972(56):5499

[2] Eldrup M, Lightbody D and Sherwood J N. CHem.Phys., 1981(63):51

氣體吸附主要表征表面缺陷，不能測內(nèi)部缺陷，與表面積有很大關系；正電子湮滅表征的主要是樣品內(nèi)部缺陷，且測量精度高于氣體脫附。