TOF-SIMS是采用初級(jí)離子源（Bi源）入射樣品的表面激發(fā)出材料里的離子，通常給樣品加不同偏壓分別采集正離子或負(fù)離子，金屬離子主要在正離子模式產(chǎn)額比較高，而電負(fù)性元素如O\OH\F\Cl\S\N\Br等在負(fù)離子模式產(chǎn)額高，如果組分有金屬氧化物，比如NiO, 那一定會(huì)在正離子模式產(chǎn)生Ni原子離子，以及NixOy的分子離子，而負(fù)離子模式一定有O原子離子，同時(shí)也有NixOy的分子離子，當(dāng)然在正離子模式下大多數(shù)情況 x>y, 負(fù)離子模式下x<y,  這個(gè)案例中也有NiOH這樣的離子，說(shuō)明有可能有氫氧化物存在。

正常TOF-SIMS是看不了含量的，數(shù)據(jù)橫坐標(biāo)是M/Z，縱坐標(biāo)是強(qiáng)度/計(jì)數(shù)。理由如下：強(qiáng)度與含量是沒(méi)有直接關(guān)系的。首先，同種基材不同離子的產(chǎn)額不同，產(chǎn)額高的譜峰強(qiáng)度高，但并不代表含量高，也就是說(shuō)譜峰強(qiáng)弱與含量沒(méi)有直接對(duì)應(yīng)關(guān)系，如果要定量必須選用與測(cè)試樣品基體效應(yīng)相同的標(biāo)準(zhǔn)樣品，得到靈敏度因子才可以定量！第二，同種離子在不同基體材料中的離子產(chǎn)額也不同，所以同一樣品不同離子譜峰強(qiáng)度與含量無(wú)關(guān)，同種離子在不同材料中的譜峰強(qiáng)弱也與含量無(wú)關(guān)，只有同種材料的不同樣品中的同種離子可以比較，譜峰強(qiáng)度高代表含量高。做深度濺射曲線可以看隨深度方向，分子片段的相對(duì)變化趨勢(shì)。

質(zhì)譜和mapping默認(rèn)測(cè)試是同樣一個(gè)位置，深度剖析正負(fù)離子是不同位置。